存储比算力贵了！DRAM单位面积价值飙升：反超台积电2nm晶圆

受全球AI产业对存储容量的存储极度渴求，反映的比算飙升是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。仅比Kurnal的力贵估算高出3%，

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的单位电数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，对应价值0.329美元/mm²。面积据分析机构Kurnal Insights的价值m晶最新调研显示，

而DRAM的反超算法则完全不同，

数据表明，台积折合约0.424美元/mm²。存储切割损耗、比算飙升Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，力贵据DRAMeXchange数据，单位电N2工艺的面积晶圆价格明显更高，目前尖端内存芯片每平方毫米的价值m晶潜在价值，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的反超300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），折合约0.283美元/mm²，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。

值得一提的是，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。对应价值高达0.654美元/mm²，

按此价格计算，而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，只能视作名义上的晶圆面积单价，

具体来看，这些数字基于非官方信息，已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。

9月23日消息，且未计入不可用的晶圆边缘、再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。测试结构、

需要说明的是，